آی جی بی تی FGH40N60SFD
| Collector Emitter Voltage (VCEO) | 600 V | |
| DC Collector Current | 80 A | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.4 V | |
| Configuration | Single | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | |
| Power Dissipation | 290 W | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
خلاصه :
نیمه هادیها پایه علم الکترونیک محسوب میشوند و ساخت بسیاری از قطعات الکترونیکی مانند: دیودها، ترانزیستورها و حتی اختراع رایانه مرهون ظهور نیمه هادیها است.
برای درک بیشتر رفتار قطعات در مدارات الکترونیکی بهتر است ابتدا با ساختار مواد نیمه هادی آشنا شویم.
در ساخت قطعات الکترونیکی به نوع نیمه هادی دقت ویژهای می شود. به عنوان مثال در دیودهای ساطع کننده نور به دلیل اثر مستقیم انرژی (انرژی لازم برای ایجاد الکترون آزاد در نیمه هادی برای انتقال جریان) بر تابش نور و همچنین اثر افزایش دما بر انرژی، در صنعت هر روزه به دنبال ساخت ترکیبات نیمه هادی جدیدی با انرژی بالاتر هستند.
مهم ترین ویژگی نیمه هادی ها که آن ها را از سایر مواد رسانا و عایق متمایز می کند؛ کنترل رسانایی آن ها توسط انسان است.
رسانایی الکتریکی نیمه هادی ها با اضافه کردن ناخالصی به بلور نیمه هادی خالص (نیمه هادی ذاتی) افزایش می یابد؛ در نتیجه ی آن، نیمه هادی نوع n و نوع p پدید آمده است. یک دیود از پیوند دو نیمه هادی نوع N و نوع P ساخته می شود که در مقاله بعدی به توضیح آن میپردازیم.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.